吴熙,博士,biwei必威备用网址教师。2018年9月获西安交通大学电子科学与技术工学博士学位。主要从事助熔剂法生长GaN晶体的研究工作,经过多年的学习与探索,已对部分复合助熔剂溶液成分和生长温度对晶体结构、晶体形貌和结晶质量进行了深入的研究。并通过复合助熔剂法与液相外延技术结合成功的获得了位错密度在103cm-2附近的高质量GaN晶体。作为项目负责人主持相关的国家级项目1项,省部级科研项目1项,参与相关的国家级科研项目1项和省部级科研项目3项。在晶体生长和晶体等期刊上发表了六篇关于助熔剂法生长GaN晶体的SCI论文。已申请国家发明专利两项,已授权澳大利亚革新专利一项。
项目支持及参与情况:
国家自然科学基金委员会,青年项目,62204038,复合助熔剂-重结晶法生长GaN晶体的研究,2023/01-至今,30万元,在研,主持
2.广东省自然科学基金委员会,粤莞联合基金,2019A1515111068,复合助熔剂-重结晶技术生长高结晶质量GaN晶体的研究,2020/01-至今,10万元,在研,主持
主要学术论文
Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. Growth Temperature Dependence of Morphology of GaN Single Crystals in the Na-Li-Ca Flux Method[J]. Journal of Electronic Materials, USA.,2017, 47(2):1569-1574.
Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. Fabrication of GaN single crystals at 700°C using Na-Li-Ca mixed flux system [J]. AIP ADVANCES,2018,8(5):055326-1-055326-6.
Xi Wu, Hangfei Hao, Zhenrong Li, et al. GaN single crystal grown in the Na-Li-Ca flux solution by LPE technique [J]. J. Cryst. Growth, 521 (2019) 30-33.
Xi Wu, Hongcheng Wang, Dongxiong Ling, Chuanyu Jia, Wei Lü, Ye Liu, Fei Zhou, Zhenrong Li. Synthesis of GaN Crystals by Nitrogen Pressure-Controlled Recrystallization Technique in Na Alloy Melt[J]. Crystals, 2021, 11 (2021) 1058.
H. Hao, X. Wu, Z. Li, S. Fan, Effects of Growth Temperature on Morphology of GaN Crystals by Na Flux Liquid Phase Epitaxial Method, J. Electron. Mater., 48 (2019) 3570-3578.
H. Hao, T. Yang, Y. Yin, C. Yang, X. Wu, S. Fan, Z. Li, The morphologies of GaN crystals grown on Ga- and N-face of HVPE seeds by the Na flux liquid phase epitaxial method, Jpn. J. Appl. Phys., 58 (2019) SC1048.
周明斌,李振荣,李静思,吴熙,范世马岂,徐卓.Na助熔剂法生长氮化镓晶体的研究进展[J]人工晶体学报.2013, 42(10):1983-1991.